உருவ மூடி

Control growth of silicon nanocolumns' epitaxy on silicon nanowires

The epitaxial growth of Si nanocolumns on Si nanowires was studied using hot-wire chemical vapor deposition. A single-crystalline and surface oxide-free Si nanowire core (core radius ~21 ± 5 nm) induced by indium crystal seed was used as a substance for the vapor phase epitaxial growth. The grow...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Chong, S.K., Dee, C.F., Yahya, N., Rahman, S.A.
வடிவம்: கட்டுரை
வெளியீடப்பட்டது: 2013
பகுதிகள்:
QC Physics
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.um.edu.my/7328/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்