உருவ மூடி

Analysis and simulation of carriers statistic for semiconducting single wall carbon nanotube

In scaling down to 10 nm, the electron transportation is predominantly ballistic. Moreover, in most of the doped nanoscale devices, the carrier density is in the degenerate regime. In these cases the failure of Boltzmann statistic has led the research to new explanations. In this paper the authors f...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Ismail, Razali, Karamdel, Javad, Ahmadi, M. Taghi, Damghanian, Mitra, Majlis, Burhanuddin Yeop M., Dee, ChangFu
வடிவம்: கட்டுரை
வெளியீடப்பட்டது: Matrice Technology Ltd. 2009
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/13055/
http://eprints.utm.my/13055/
http://eprints.utm.my/13055/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!

இணையம்

http://eprints.utm.my/13055/
http://eprints.utm.my/13055/
http://eprints.utm.my/13055/

இதே போன்ற பொருட்கள்