உருவ மூடி

Extraction of SPICE model for double gate vertical MOSFET

Vertical MOSFETs device have one important disadvantage, which is higher overlap capacitances such as the separated gate-source and gate-drain parasitic capacitances (CGSO and CGDO), which is known to be most crucial to the high-frequency/speed performance but very hard to extract. In this paper pre...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Suseno, Jatmiko E., Ahmad, Muhammad Taghi, Riyadi, Munawar A., Ismail, Razali
வடிவம்: Book Section
வெளியீடப்பட்டது: IEEE 2009
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/14310/
http://eprints.utm.my/14310/
http://eprints.utm.my/14310/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்