உருவ மூடி

The drift response to the applied electric field in an InGaAs quantum-well nanostructure

InGaAs, or indium gallium arsenide, is an alloy of gallium arsenide and indium arsenide. In a more general sense, it belongs to the InGaAsP quaternary system that consists of alloys of indium arsenide (InAs), gallium arsenide (GaAs), indium phosphide (InP), and gallium phosphide (GaP). As gallium an...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Chii, Aaron Enn Lee, Hui, Houg Lau, Ing, Hui Hii, Arora, Vijay K.
வடிவம்: Conference or Workshop Item
வெளியீடப்பட்டது: 2007
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/14519/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்