உருவ மூடி

Design, fabrication and characterization of a Schottky diode on an AlGaAs/GaAs HEMT structure for on-chip RF power detection

A Schottky diode was designed and fabricated on an n-AlGaAs/GaAs high electron mobility transistor (HEMT) structure for RF power detection. The processing steps used in the fabrication were the conventional steps used in standard GaAs processing. Current–voltage measurements showed that the devices...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Mustafaa, Farahiyah, Parimona, Norfarariyanti, Hashim, Abdul Manaf, Abd. Rahman, Shaharin Fadzli, Abdul Rahman, Abdul Rahim, Osman, Mohd. Nizam
வடிவம்: கட்டுரை
வெளியீடப்பட்டது: Elsevier Ltd. 2010
பகுதிகள்:
Unspecified
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/22942/
http://eprints.utm.my/22942/
http://eprints.utm.my/22942/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்