உருவ மூடி

SOI based nanowire single-electron transistors: design, simulation and process development

One of the great problems in current large-scale integrated circuits is increasing power dissipation in a small silicon chip. Single-electron transistor which operate by means of one-by-one electron transfer, is relatively small and consume very low power and suitable for achieving higher levels of...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Hashim, Uda, Rasmi, Amiza, Sakrani, Samsudi
வடிவம்: கட்டுரை
மொழி:English
வெளியீடப்பட்டது: IJNeaM, Universiti Malaysia Perlis (UniMAP) 2007
பகுதிகள்:
QC Physics
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/2525/
http://eprints.utm.my/2525/1/SamsudiSakrani2007_SOIBasedNanowireSingleElectron.pdf
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!

இணையம்

http://eprints.utm.my/2525/
http://eprints.utm.my/2525/1/SamsudiSakrani2007_SOIBasedNanowireSingleElectron.pdf

இதே போன்ற பொருட்கள்