உருவ மூடி

Carrier statistics and ballistic conductance model of bilayer graphene nonoribbon in bgn field effect transistor

Bilayer Graphene Nanoribbons (BGNs) Carrier statistics and Ballistic conductance in the non-degenerate and the degenerate limits are presented. By definition, two dimensional BGN through AB configuration with width less than De- Broglie wave length is a one dimensional (ID) device. Based on the ID b...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்: Sadeghi, Hatef
வடிவம்: Thesis
வெளியீடப்பட்டது: 2010
பகுதிகள்:
Unspecified
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/26434/
http://eprints.utm.my/26434/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்