உருவ மூடி

Fabrication and characterization of n-AlGaAs/GaAs schottky diode for rectenna device application

Schottky diode was designed and fabricated on n-AlGaAs/GaAs high electron mobility transistor (HEMT) structure for rectenna device application. Rectenna is one of the most potential devices to form the wireless power supply which is really good at converting microwaves to DC. The processing steps us...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Parimon, N., Mustafa, F., Hashim, Abdul Manaf, Abd Rahman, Shaharin Fadzli, Rahman, A. R. A., Osman, M. N.
வடிவம்: கட்டுரை
மொழி:English
வெளியீடப்பட்டது: IOP Publishing 2011
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/29394/
http://eprints.utm.my/29394/
http://eprints.utm.my/29394/
http://eprints.utm.my/29394/2/1757-899X_17_1_012022.pdf
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்