உருவ மூடி

Dual-functional on-chip algaas/gaas schottky diode for rf power detection and low-power recten applications

A Schottky diode has been designed and fabricated on an n-AlGaAs/GaAs high-electron-mobility-transistor (HEMT) structure. Current-voltage (I-V) measurements show good device rectification, with a Schottky barrier height of 0.4349 eV for Ni/Au metallization. The differences between the Schottky barri...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Hashim, Abdul Manaf, Mustafa, Farahiyah, Abd. Rahman, Shaharin Fadzli, Abdul Rahman, Abdul Rahim
வடிவம்: கட்டுரை
வெளியீடப்பட்டது: M D P I AG 2011
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/44866/
http://eprints.utm.my/44866/
http://eprints.utm.my/44866/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்