உருவ மூடி

Mobility diminution in a nano-mosfet due to carrier injection from the ohmic contacts

The mobility is being ballistic when the mean free path in a nanoscale transistor exceeds the channel length. The ballistic mobility is modeled and interpreted by analyzing transient velocity response to the electric field. The new model includes the transit-time delay that may become comparable to...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Riyadi, Munawar A., Loong, Michael Peng Tan, Hashim, Abdul Manaf, Arora, Vijay K.
வடிவம்: கட்டுரை
வெளியீடப்பட்டது: American Institute of Physics 2011
பகுதிகள்:
QP Physiology
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/45046/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்