Modeling the effects of phonon scattering in carbon nanotube and silicon nanowire field-effect transistors

Carbon nanotubes (CNT) and silicon nanowires (Si NW) are nominated as the channel material for the next generation of transistors. Although previous works have shown that both CNT- and Si NW- based Field-Effect-Transistors (FET) are able to deliver better performance than conventional devices, phono...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்: Chin, Huei Chaeng
வடிவம்: Thesis
மொழி:English
வெளியீடப்பட்டது: 2015
பகுதிகள்:
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/54069/
http://eprints.utm.my/54069/1/ChinHueiChaengMFKE2015.pdf
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!