உருவ மூடி

The design and characterization of breakdown mechanism on p+/n- well single photon Avalanche Diode (Spad)

In this paper, the breakdown voltage (VBD) and dark current (ID) of p+/n-well avalanche photodiodes operating in Geiger is reported. Simulations are performed by implemented the numerical simulations at the technological process and electrical level by using two dimensional TCAD simulations. The sim...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Wong, Cindy E. Lin, Wan Hasan, Wan Haszerila, Isaak, Suhaila
வடிவம்: Conference or Workshop Item
வெளியீடப்பட்டது: 2015
பகுதிகள்:
TK6570 Mobile Communication System
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/63562/
http://eprints.utm.my/63562/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்