உருவ மூடி

Annealing of an AlN buffer layer in N2-CO for growth of a high-quality AlN film on sapphire

The annealing of an AlN buffer layer in a carbon-saturated N2–CO gas on a sapphire substrate was investigated. The crystal quality of the buffer layer was significantly improved by annealing at 1650–1700 °C. An AlN buffer layer with a thickness of 300 nm was grown by metalorganic vapor phase epitaxy...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Miyake, Hideto, Nishio, Gou, Suzuki, Shuhei, Hiramatsu, Kazumasa, Fukuyama, Hiroyuki, Kaur, Jesbains, Kuwano, Noriyuki
வடிவம்: கட்டுரை
மொழி:English
வெளியீடப்பட்டது: 2016
பகுதிகள்:
QC Physics
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/68841/
http://eprints.utm.my/68841/
http://eprints.utm.my/68841/1/HidetoMiyake2016_AnnealingofanAINBufferLayer.pdf
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்