உருவ மூடி

Statistical variability in n-channel SOI FinFET in the presence of random discrete dopant

Among the source of variability, random discrete dopant (RDD) fluctuation is significant in current technology scaling nodes. Number and position of discrete dopants give a crucial impact on device's electrical characteristics. In this paper, a comprehensive full-scale 3D simulation study of na...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Alias, N. E., Hassan, R., Johari, Z.
வடிவம்: Conference or Workshop Item
வெளியீடப்பட்டது: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 2016
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/73076/
http://eprints.utm.my/73076/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!

இணையம்

http://eprints.utm.my/73076/
http://eprints.utm.my/73076/

இதே போன்ற பொருட்கள்