உருவ மூடி

Characterization of 50 nm MOSFET with dielectric pocket

Characterizat ion of a metal-oxide-semi conductor field effect tran sistor incorporating dielectric pocket (DP) for suppression of short-channel effect (SCE ) is demonstrated by using 2D numerical simulation. An analysis of 120 nm and 50 nm channel length (LJ wit h DP incorp orated between the chann...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Fauzan, Zul Atfyi, Saad, Ismail, Ismail, Razali
வடிவம்: கட்டுரை
மொழி:English
வெளியீடப்பட்டது: Malaysian Institute of Physics 2007
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
QC Physics
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/8046/
http://eprints.utm.my/8046/2/%5B093-098%5D-zul.pdf
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்