Laser-enhanced dissolution of gallium arsenide; aluminum gallium arsenide, and their heterostructures

The controlled, reproducible selective etching of semiconductors is imperative in the fabrication of solid state electronic devices. This work describes the laser-enhanced wet-chemical etching of heterostructures of n-type GaAs and AlGaAs using an expanded laser beam, which provides a nearly uniform...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்: Robertson, Eric Anthony, III.
வடிவம்: மின்னணு
மொழி:Undetermined
வெளியீடப்பட்டது: 1995.
பகுதிகள்:
நிகழ்நிலை அணுகல்:Access restricted to UM users and campus guests:
Access to the ProQuest dissertations & theses online version restricted; authentication may be required:
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!

இணையம்

Access restricted to UM users and campus guests:
Access to the ProQuest dissertations & theses online version restricted; authentication may be required:

3rd Floor Main Library

இருப்புகளின் விவரங்கள் %%இடம்%%
அழைப்பு எண்: A1234.567
பிரதி 1 கிடைக்கக்கூடிய