உருவ மூடி

Classical trajectory study of adsorption and surface diffusion of Si on Si(100)

Adsorption and surfacediffusion of silicon on the Si(100) plane have been investigated by classical trajectory methods using a realistic potential‐energy surface. The calculated sticking probability for adsorption is 0.965 at 1500 K and is independent of temperature. The diffusion coefficient for Si...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Ibrahim Ali , Noorbatcha, Lionel M. , Raff, Donald L. , Thompson
வடிவம்: கட்டுரை
மொழி:English
வெளியீடப்பட்டது: American Institute of Physics (AIP) 1984
பகுதிகள்:
QD Chemistry
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://irep.iium.edu.my/35866/
http://irep.iium.edu.my/35866/
http://irep.iium.edu.my/35866/
http://irep.iium.edu.my/35866/1/JCP1984.pdf
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!

இணையம்

http://irep.iium.edu.my/35866/
http://irep.iium.edu.my/35866/
http://irep.iium.edu.my/35866/
http://irep.iium.edu.my/35866/1/JCP1984.pdf

இதே போன்ற பொருட்கள்