உருவ மூடி

Synthesis of β-Silicon carbide nanowires by a simple, catalyst-free carbo-thermal evaporation technique

β-SiC nanowires were successfully fabricated on pare Si (100) substrate using simple carbo-thermal evaporation of graphite at 1200°C. The obtained β-SiC nanowires were aligned with diameters ranged between 40 to 500 nm. The majority of crystal planes were β-SiC (111) with other less intensity of (2...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Al-Ruqeishi , M.S., Nor , R.M., Amin , Y.M., Al-Azri, K.
வடிவம்: கட்டுரை
வெளியீடப்பட்டது: 2012
பகுதிகள்:
QC Physics
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.um.edu.my/7890/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!

இணையம்

http://eprints.um.edu.my/7890/

இதே போன்ற பொருட்கள்