Modelling and switching simulation of gate turn-off thyristor using finite element method

The gate turn-off (GTO) thyristor has the best voltage blocking and current conducting capabilities among all known high power semiconductor switching devices. The switching characteristics of a GTO thyristor are influenced by doping profile, material properties, lifetime and mobility of holes an...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்: Norainon, Mohamed
வடிவம்: Thesis
வெளியீடப்பட்டது: 2010
பகுதிகள்:
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://umpir.ump.edu.my/2187/
http://umpir.ump.edu.my/2187/1/NORAINON_MOHAMED.PDF
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!