InxGa1−xAs nanowires with uniform composition, pure wurtzite crystal phase and taper-free morphology

Obtaining compositional homogeneity without compromising morphological or structural quality is one of the biggest challenges in growing ternary alloy compound semiconductor nanowires. Here we report growth of Au-seeded InxGa1−xAs nanowires via metal-organic vapour phase epitaxy with uniform composi...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Ameruddin, Amira Saryati, Fonseka, H Aruni, Caroff, Philippe, Wong-Leung, Jennifer, het Veld, Roy LM Op, Boland, Jessica L, Johnston, Michael B, Hark, Hoe Tan, Jagadish, Chennupati
வடிவம்: கட்டுரை
வெளியீடப்பட்டது: IOP Publishing 2015
பகுதிகள்:
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/26/20/205604
http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/26/20/205604
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!