Morphological and electrical characterization of gaas nanowires

GaAs nanowires were grown using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) system at low pressure reactor chamber. The growth follows the vapor-liquid solid mechanism by applying nanoparticle gold colloid on the (111)B GaAs substrate. The growth process were done at temperatures ranging from 38...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Muhammad, Rosnita, Othaman, Zulkafli, Wahab, Yussof, Sakrani, Samsudi
வடிவம்: Book Section
வெளியீடப்பட்டது: American Institute of Physics 2009
பகுதிகள்:
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/12983/
http://eprints.utm.my/12983/
http://eprints.utm.my/12983/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!