உருவ மூடி

Physics-based modelling of ballistic transport in nanoscale transistor

The ballistic transport of the carriers is predicted when the channel length of the transistor is less than the scattering-limited mean-free path. In this paper, the saturation velocity is found to be ballistic regardless of the device dimensions. This saturation velocity is limited by the intrinsic...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Saad, Ismail, Lee, Razak M. A., Ismail, Razali, Arora, Vijay K.
வடிவம்: Book Section
வெளியீடப்பட்டது: Institute of Electrical and Electronics Engineers 2009
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/13052/
http://eprints.utm.my/13052/
http://eprints.utm.my/13052/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்