உருவ மூடி

Analytical study of drift velocity in N-type silicon nanowires

The limitations on carrier drift velocity due to high-field effect and randomly velocity vector in equilibrium is reported. The results are based on asymmetrical distribution function that converts randomness velocity vectors in zerofield to streamlined one in a very high electric field. The ultimat...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Ismail, Razali, Fallahpour, Amir Hossein, Ahmadi, Mohammad Taghi
வடிவம்: Book Section
வெளியீடப்பட்டது: IEEE Explore 2009
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/13079/
http://eprints.utm.my/13079/
http://eprints.utm.my/13079/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்