உருவ மூடி

Analytical study of carriers in silicon nanowires

The limitations on carrier (holes and electrons) drift due to high-field streamlining also randomly velocity vector in equilibrium is reported. Asymmetrical distribution function that converts randomness in zero-field to streamlined one in a very high electric field is employed. The ultimate drift v...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Ahmadi, Mohammad Taghi, Fallahpour, Amir Hossein, Allahdadian, Javad, Kouhnavard, Mojgan, Ismail, Razali
வடிவம்: கட்டுரை
வெளியீடப்பட்டது: 2009
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/13682/
http://eprints.utm.my/13682/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்