உருவ மூடி

Scaling of vertical and lateral MOSFET in nanometer regime

The Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, or MOSFET for short, has an extremely high input gate resistance with the current flowing through the channel between the source and drain being controlled by the gate voltage.

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Saad, Ismail, Sulaiman, Ima, Ismail, Razali
வடிவம்: Conference or Workshop Item
வெளியீடப்பட்டது: 2007
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/14408/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!

இணையம்

http://eprints.utm.my/14408/

இதே போன்ற பொருட்கள்