உருவ மூடி

Scaling and numerical simulation analysis of 50nm MOSFET incorporating dielectric pocket (DP-MOSFET)

Characterization of a metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) incorporating dielectric pocket (DP) for suppression of short-channel effect (SCE) was demonstrated by using numerical simulation. The DP was incorporated between the channel and source/drain of planar MOSFET and was sc...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Ismail, Razali, M. N., Zul Atfyi Fauzan, Saad, Ismail
வடிவம்: Conference or Workshop Item
வெளியீடப்பட்டது: 2007
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/24436/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்