உருவ மூடி

The channel mobility degradation in a nanoscale metal-oxide-semiconductor field effect transistor due to injection from the ballistic contacts

The ballistic mobility degradation is shown to originate from nonstationary (transient) transport in response to the ohmic electric field. The source and drain reservoirs launch electrons into the channel with injection velocity transiting the channel with finite ballisticity defined as the probabil...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Arora, Vijay Kumar, A. Riyadi, Munawar
வடிவம்: கட்டுரை
வெளியீடப்பட்டது: American Institute of Physics 2011
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/29481/
http://eprints.utm.my/29481/
http://eprints.utm.my/29481/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்