உருவ மூடி

Evolution of Gaas capping layer on in0.5Ga0.5As/Gaas quantum dots structure

Self-assembled InxGai_xAs/GaAs quantum dots were grown with and without GaAs capping layer. Effect of different growth condition on the capping layer was studied using atomic force microscope (AFM). The optical properties o f capped quantum dots structure was investigated by photoluminescence (PL) m...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Aryanto, Didik, Amerudin, Amira Saryati, Othaman, Zulkafli, Ismail, Abd. Khamim
வடிவம்: கட்டுரை
வெளியீடப்பட்டது: 2010
பகுதிகள்:
QC Physics
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/43971/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!

இணையம்

http://eprints.utm.my/43971/

இதே போன்ற பொருட்கள்