உருவ மூடி

Characterization of liquid-phase sensor utilizing gan-based two terminal devices

GaN-based HEMT structures are versatile structures that may be used for a variety of sensing applications. Due to their low intrinsic carrier concentrations, wide band gap semiconductor sensors based on GaN can be operated at lower current levels than conventional Si-based devices and offer the capa...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Zainal Abidin, Mastura Shafinaz, Wang, Soo Jeat, Hashim, Abdul Manaf, Abdul Rahman, Shaharin Fadzli, Sharifabad, Maneea Eizadi
வடிவம்: கட்டுரை
வெளியீடப்பட்டது: American Institute of Physics 2011
பகுதிகள்:
TA Engineering (General). Civil engineering (General)
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/44783/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்