உருவ மூடி

Concentration dependence of drift and magnetoresistance ballistic mobility in a scaled-down metal-oxide semiconductor field-effect transistor

The degradation of ballistic mobility in a metal-oxide semiconductor field-effect transistor is attributed to the nonstationary ballistic injection from the contacts as the length of a channel shrinks to the length smaller than the scattering-limited mean free path. Apparent contradiction between th...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Arora, Vijay Kumar, Tembhurne, Saurabh, Zainal Abidin, Mastura Shafinaz, A. Riyadi, Munawar
வடிவம்: Conference or Workshop Item
வெளியீடப்பட்டது: 2011
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/45689/
http://eprints.utm.my/45689/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்