உருவ மூடி

The effect of growth temperatures and substrate orientations of indium gallium phosphide quantum wires

Indium gallium phosphide (InGaP) nanowires were grown on gallium arsenide (GaAs) substrate by using metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) via vapour-liquid-solid (VLS) technique. The grown InGaP wires were characterized by using scanning electron microscopy (SEM), field emission scanning...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்: Nor Helmi, Nor Hamizah
வடிவம்: Thesis
மொழி:English
வெளியீடப்பட்டது: 2014
பகுதிகள்:
QC Physics
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/53451/
http://eprints.utm.my/53451/25/NorHamizahNorHelmiMFS2014.pdf
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!

இணையம்

http://eprints.utm.my/53451/
http://eprints.utm.my/53451/25/NorHamizahNorHelmiMFS2014.pdf

இதே போன்ற பொருட்கள்