உருவ மூடி

Effect of methane flow rate to SiC thin films morphology deposited by VHF-PECVD

Silicon carbide (SiC) thin films have been grown in a very high frequency-plasma enhanced chemical vapour deposition (VHF-PECVD) system designed and developed in our laboratory. Silane (SiH4) and methane (CH4) were used as precursor gases. The effect of methane flow rate on the structural and morpho...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Albert Alim, Emilly, Ismail, Abd. Khamim, Omar, Muhammad Firdaus
வடிவம்: Conference or Workshop Item
வெளியீடப்பட்டது: ICAMN 2016 2016
பகுதிகள்:
Q Science
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/67080/
http://eprints.utm.my/67080/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்