Computational modeling and characterization of X-Bi (X = B, Al, Ga, In) compounds: Prospective optoelectronic materials for infrared/near infra applications

III-V compounds containing heavy Bi anion are distinguished from remaining III-V family in terms of their narrower electronic energy gap and potential application for infrared/near infra devices. In the present work, modeling of X-Bi (X = B, Al, Ga and In) compounds and the investigations pertaining...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Abdul Rahim, N. A., Ahmed, R., Ul Haq, B., Mohamad, M., Shaari, A., Ali, N., Goumri-Said, S.
வடிவம்: கட்டுரை
வெளியீடப்பட்டது: Elsevier 2016
பகுதிகள்:
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/73851/
http://eprints.utm.my/73851/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!