உருவ மூடி

Scattering-limited and ballistic transport in a nano-CMOS circuit

The mobility and saturation velocity in the nanoscale metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) are revealed to be ballistic; the former in a channel whose length is smaller than the scattering-limited mean free path. The drain-end carrier velocity is smaller than the ultimate satur...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Saad, Ismail, Tan, Micheal Loong Peng, Chi, Aaron Enn Lee, Ismail, Razali, Arora, Vijay Kumar
வடிவம்: கட்டுரை
மொழி:English
வெளியீடப்பட்டது: Elsevier 2008
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/7501/
http://eprints.utm.my/7501/
http://eprints.utm.my/7501/
http://eprints.utm.my/7501/3/RazaliIsmail2008_ScatteringlimitedandBallisticTransport.pdf
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!

இதே போன்ற பொருட்கள்