உருவ மூடி

Comparison analysis on scaling the vertical and lateral NMOSFET in nanometer regime

Conventional lateral and vertical n-channel MOS transistors with channel length in the range of 100 nm to 50 nm have been systematically investigated by means of device simulation. The comparison analysis includes critical parameters that govern device performance. Threshold voltage VT roll-off, lea...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Saad, Ismail, Sulaiman, Ima, Ismail, Razali
வடிவம்: கட்டுரை
மொழி:English
வெளியீடப்பட்டது: UKM 2008
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/7507/
http://eprints.utm.my/7507/
http://eprints.utm.my/7507/3/RazaliIsmail2008_ComparisonAnalysisonScaling.pdf
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்