உருவ மூடி

Investigation on the effects of oblique rotating ion implantation (ORI) for nanoscale vertical double gate NMOSFET

A process of making a symmetrical self-aligned n-type vertical double-gate MOSFET (n-VDGM) over a silicon pillar is revealed. This process utilizes the technique of oblique rotating ion implantation (ORI). The self-aligned region forms a sharp vertical channel profile and decreases the channel lengt...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Saad, Ismail, Ismail, Razali, Arora, Vijay
வடிவம்: Conference or Workshop Item
வெளியீடப்பட்டது: 2007
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/14144/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!

இணையம்

http://eprints.utm.my/14144/

இதே போன்ற பொருட்கள்