உருவ மூடி

Effect of single event upset on 6T and 12T 32NM CMOS SRAMs circuit

Static random access memory cells (SRAM) are high-speed semiconductor memory that uses flip-flop to store each bit. Over the years, technology scaling of complementary metaloxide semiconductor (CMOS) devices has also resulted in the scaling of SRAM using minimum-size transistors. As transistor si...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Yusop, Nur Syafiqah, Mahmud, Manzar, Nordin, Anis Nurashikin, Hasbullah, Nurul Fadzlin
வடிவம்: Conference or Workshop Item
மொழி:English
வெளியீடப்பட்டது: Penerbit UMT, Universiti Malaysia Terengganu (UMT) 2016
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://irep.iium.edu.my/51579/
http://irep.iium.edu.my/51579/
http://irep.iium.edu.my/51579/1/51579_Effect%20of%20single%20event.pdf
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!

இணையம்

http://irep.iium.edu.my/51579/
http://irep.iium.edu.my/51579/
http://irep.iium.edu.my/51579/1/51579_Effect%20of%20single%20event.pdf

இதே போன்ற பொருட்கள்