Ballistic saturation velocity of quasi-2D low-dimensional nanoscale field effect transistor (FET)

The saturation velocity is found to be ballistic regardless of the device dimensions. The ballistic intrinsic velocity is based on streamlining of the randomly oriented velocity vectors in zero electric field. In the degenerate realm, the saturation velocity is shown to be the Fermi velocity that is...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Ismail, Razali, Saad, Ismail, Ahmadi, M. Taghi, Munawar, A. R., Arora, V. K.
வடிவம்: Book Section
வெளியீடப்பட்டது: Amer Inst Physics 2009
பகுதிகள்:
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/13220/
http://eprints.utm.my/13220/
http://eprints.utm.my/13220/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!