உருவ மூடி

Numerical simulation analysis of CMOS compatible process of 50nm vertical single and double gate MOSFET

Vertical MOSFET's have been proposed in the roadmap of semiconductor as a candidate for sub-100 nm CMOS technologies. In this paper, unique architecture of single and double gate vertical NMOS transistor is proposed that retained its CMOS compatibility. The MOSFET was fabricated by using obliqu...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Saad, Ismail, Ismail, Razali
வடிவம்: Conference or Workshop Item
வெளியீடப்பட்டது: 2007
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/14249/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!

இணையம்

http://eprints.utm.my/14249/

இதே போன்ற பொருட்கள்