உருவ மூடி

Effects of S/D doping concentrations on vertical strained-sige impact ionization MOSFET incorporating dielectric pocket (VESIMOS-DP)

The Vertical Strained Silicon Germanium (SiGe) Impact Ionization MOSFET with Dielectric Pocket (VESIMOS-DP) has been successfully developed and analyzed in this paper. The effect of Source and Drain (S/D) doping concentration to the VESIMOS-DP on the performance of the device in terms of subthreshol...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Ismail, Razali, Saad, Ismail, Hamzah, Zuhir, Seng, Bun, Anuar, Khairul, Ghosh, Bablu, Bolong, Nurmin
வடிவம்: Conference or Workshop Item
வெளியீடப்பட்டது: 2013
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.utm.my/37616/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!

இணையம்

http://eprints.utm.my/37616/

இதே போன்ற பொருட்கள்