Effects of thermal annealing on the properties of highly reflective Nc-Si: H/A-Cnx: H multilayer films prepared by rf PECVD technique

The effects of thermal annealing in the range of 100-700°C on highly reflecting multilayer thin film consisting of 7 periods of alternating nc-Si:H/a-CNx:H layers prepared by radio-frequency plasma enhanced chemical vapour (r.f. PECVD) deposition technique were investigated. The films were deposite...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Rashid, N.M.A., Ritikos, R., Goh, B.T., Gani, S.M.A., Muhamad, M.R., Rahman, S.A.
வடிவம்: கட்டுரை
வெளியீடப்பட்டது: 2011
பகுதிகள்:
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.um.edu.my/7357/
http://eprints.um.edu.my/7357/1/Effects_Of_Thermal_Annealing_On_The_Properties_Of_Highly_Reflective_Nc%2DSi_HA%2DCnx_H_Multilayer_Films_Prepared_By_rf_PECVD_Technique.pdf
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!