உருவ மூடி

Optimization of HALO structure effects in 45nm p-type MOSFETs device using Taguchi Method

In this study, the Taguchi method was used to optimize the effect of HALO structure or halo implant variations on threshold voltage (VTH) and leakage current (ILeak) in 45nm p-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) device. Besides halo implant dose, the other process p...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Fauziyah, Salehuddin, Ahmad, Ibrahim, Azlee Hamid, Fazrena, Zaharim, Azami, Elgomati, H. A., Yeop Majlis, Burhanuddin, Apte, P. R.
வடிவம்: கட்டுரை
வெளியீடப்பட்டது: 2011
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://www.waset.org/journals/ijeas/
http://www.waset.org/journals/ijeas/
http://eprints.utem.edu.my/4194/1/%28J5%29_JEAS_7%282%29_80-86_zie.pdf
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!

இதே போன்ற பொருட்கள்