உருவ மூடி

Gate length effect on nmos electrical characteristics using tcad tools.

The concept of device scaling in silicon transistor has consistently resulted in better device density and performance. In conventional MOSFETs, control of Ioff for scaled devices requires very thin gate dielectrics and high doping concentrations. The industry roadmap for CMOS technology predicts ph...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Osman , Kahar, Sanudin, Rahmat
வடிவம்: Conference or Workshop Item
வெளியீடப்பட்டது: 2008
பகுதிகள்:
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.uthm.edu.my/2293/
http://eprints.uthm.edu.my/2293/1/Gate_length_effect_on.pdf
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!
இந்த கருத்தை முதலில் விட்டுச்செல்லுங்கள்!
நீங்கள் முதலில் உள்நுழைந்திருக்க வேண்டும்

இதே போன்ற பொருட்கள்