உருவ மூடி

IDD scan test method for fault localization technique on CMOS VLSI failure analysis

One of the fashionable stress test has been practice on CMOS VLSI recently known as IDDQ scan test. It have competency to be as a part of failure analysis method in localization latent defect with nano scale geometry, i.e. gate oxide hole. An extension study in this field delivers proficiency on log...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Abdullah, Farisal, Nayan, Nafarizal, Abdul Jamil , Muhammad Mahadi, Kamsin, Norfauzi
வடிவம்: Conference or Workshop Item
பகுதிகள்:
TK7800-8360 Electronics
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.uthm.edu.my/3017/
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!

இணையம்

http://eprints.uthm.edu.my/3017/

இதே போன்ற பொருட்கள்