Process and device simulation of 80nm CMOS inverter using Sentaurus Synopsys TCAD

Nowadays, the simple manufacturing process of CMOS transistor is widely used in digital design implementation. Using the latest technology in fabrication, the sizes of semiconductor devices are ever shrinking toward the nanotechnology. This paper presents the development of 80nm gate length of CMOS...

முழு விளக்கம்

Saved in:
நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
தலைமை எழுத்தாளர்கள்: Sulong, Muhammad Suhaimi, Jamry, Asyiatul Asyikin, Shuib, Siti Maryaton Shuadah, Sanudin, Rahmat, Morsin, Marlia, Sahdan, Mohd Zainizan
வடிவம்: Conference or Workshop Item
வெளியீடப்பட்டது: 2008
பகுதிகள்:
நிகழ்நிலை அணுகல்:http://eprints.uthm.edu.my/79/
http://eprints.uthm.edu.my/79/1/muhammad_suhaimi_sulong.pdf
குறியீடுகள்: குறிச்சொல் இணை
குறியீடுகள் இல்லை, இந்த குறிச்சொல்லை முதலில் பதிவு செய்யுங்கள்!